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    长鑫存储“双芯”亮相IC China,首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps

    新闻资讯 2025年11月24日

    11月23日,长鑫存储在IC China 2025(中国国际半导体博览会)上正式发布其最新DDR5产品系列:最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,均达到国际领先水平,并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

    此次长鑫存储以“双芯共振,5力全开”为主题,同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列速率、容量双维度均位居业界第一梯队,标志其产品性能与布局已全面达到全球主流高端水准,国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。

    随着处理器核心数量与AI模型规模持续增长,算力系统对内存速率的需求大幅提升。长鑫存储最新发布的8000 Mbps DDR5 芯片,较6400Mbps产品速率提升25%。当前市场基准中,6400 Mbps代表服务器与高端PC的主流性能层级,而8000 Mbps则已迈入国际顶级性能梯队。

    在内存容量上,长鑫存储在标准16Gb 颗粒以外,重点推出24Gb大容量颗粒,对于大规模数据中心具有显著优势,能在不占用额外物理插槽的前提下,显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率,满足数据中心快速扩容的刚需。

    长鑫存储依托先进的颗粒,推出了完整的模组产品矩阵,本次展出的七大模组实现从云到边缘端的全场景涵盖:覆盖数据中心和企业级服务器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM,适配主流台式机与PC的UDIMM,满足笔记本电脑和紧凑型设备的 SODIMM,以及面向高端超频与工作站市场的CUDIMM、CSODIMM等新型时钟驱动模组。其中,在占据 DRAM最大份额的服务器市场,长鑫存储RDIMM提供多种容量,覆盖主流平台内存配置;在MRDIMM等前沿领域的布局,显示长鑫已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。

    长鑫存储此次展出的面向下一代高算力需求场景的CUDIMM、CSODIMM模组,紧跟国际标准组织JEDEC于2024年发布的产品标准。上述新型产品作为DDR5向更高频率演进的关键形态,通过集成 CKD(时钟驱动芯片),有效解决高频信号衰减的瓶颈,为PC与工作站运行更高频率提供了坚实保障。

    近期长鑫存储新品发布动作频频,本次同台展示了10月最新发布的LPDDR5X产品,该产品为针对移动市场旗舰产品开发的低功耗内存,最高速率10667Mbps,并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。

    长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示,当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响,中国需要有稳定的国产DRAM产能供应,通过产能扩张和规模效应,减少对海外厂商产能的依赖。

    在全球存储市场迎来AI驱动的超级周期的背景下,长鑫存储系列高端产品的发布不仅强化了具有国际竞争力的产品线,精准契合市场对高端产品的海量需求,为全球存储市场提供多元选择,并将拉动服务器、数据中心等产业生态升级,推动整个产业链向高附加值环节选代。

     

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    在全球科技竞争聚焦半导体、产业变革进入深水区的时代背景下,Hooddi Research 以 “精准洞察核心赛道,赋能产业高质量发展” 为使命,专注于半导体产业全链条研究,尤其深耕 Memory 与 Foundry两大战略核心领域,为产业链上下游企业、投资机构及政策制定者提供高价值的决策参考。

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